產品概述：

  覆蓋650V-3300VSiCSBD和SiCMOSFET產品，采用第三代精細平麵柵/第四代溝槽柵技術、體二極管續流，比導通電阻最低可到1.8mΩ·cm2

  主要技術參數：

  可滿足新能源汽車主驅、OBC、DC/DC
、充電樁、新能源發電
、測試電源、軌道交通等複雜、高可靠性應用工況需求。